STT-MRAM 삼성전자 올해안으로 양산작업? 반도체 시장에 대격변이?

중국이 반도체 시장에 정부가 직접 나서서

10년간 168조원이라는 돈을 지원한다는

소식에 이어 중국 반도체 시장이 하루 다르게

발전해 나가고 있습니다. 내년 상반기에 이르면

메모리 반도체를 양산한다는 기사도 나오고 있어

우리나라 독보적인 기술인 반도체도 안심할 수 없는데요.

하지만 최근에 삼성전자가 올해안으로 새로운 개념 메모리인

STT-MRAM을 양산작업에 돌입한다고 소식이 나오고 있는데요.

오늘은 이 STT-MRAM이 무엇인지 그리고 나오면 반도체 시장이

어떻게 바뀔 것인지 알아보도록 하겠습니다.

안녕하세요~ 모든 IT, 게임, 일상 정보를 먼저

빠박하게 전해드리는 빠박IT 블로그입니다.

이번에 드디어 STT-MRAM에 관한 내용을 전해드릴까 하는데요.

생각보다 정보도 몇개 없고...내용자체가 너무 어려워서 

어떤 방식으로 설명을 드려야해야되나 하는 고민으로 인해

이제서야 STT-MRAM에 관한 글을 포스팅 하게 되었습니다.

STT-MRAM에 관한 내용에 앞서 먼저 메모리에 관한 개념으로

시작해서 STT-MRAM이 양산되면 반도체 시장에 어떤 바람이

불어올지 저의 주관적인 의견도 담아 전해드리도록 하겠습니다.

STT-MRAM에 관해서 말씀드리기전 먼저

휘발성 메모리와 비휘발성 메모리의 차이점부터

말씀드리겠습니다. 휘발성 메모리는 간단하게 말씀드리자면

비휘발성 메모리와 같이 저장하고 읽고 쓰고 하는 것은 똑같지만

전력공급이 없으면 읽은 정보라도 지워버리는 메모리라고 보시면 됩니다.

특히 우리가 주로 알고있는 컴퓨터 부품인 " RAM " 이 여기에 속합니다.

일명 DRAM이 휘발성 메모리의 대표주자이기도 하죠.

삼성전자 주력 상품이기도 합니다. 그리고 휘발성 메모리는 SRAM이라고

따로 있기도 하는데 이는 CPU안에 들어간 부품 중 L1,L2,L3 캐시 메모리가

SRAM에 속합니다. 그리고 VRAM도 휘발성 메모리에 속합니다.

비휘발성 메모리는 휘발성 메모리와는 다르게

전력공급이 없어도 정보를 계속 저장할 수 있는 메모리입니다.

속도는 휘발성 메모리보다는 느리기는 하지만

전력공급이 없어도 정보를 계속 저장할 수 있어

플래시 메모리인 USB 메모리,SD카드, SSD 및 하드디스크가

이 비휘발성 메모리에 속하죠. 제가 이번에 소개해드릴 STT-MRAM이

이 비휘발성 메모리에 속하며 비휘발성,휘발성 메모리의 장점들만

모아둔 메모리가 바로 MRAM 입니다.

그러면 이제 " MRAM " 이 비휘발성 메모리인

것은 알겠지만 " DRAM,SRAM VRAM " 말고 MRAM이 대체

무엇인지 궁금하실 겁니다. MRAM이라는 개념은 1997년에

처음으로 나온 신개념 메모리이며, 2007년에 처음으로 개발이 시작되다가

2017년에 처음으로 공개되고 2018년에 들어서 드디어 

처음으로 양산작업에 돌입이 될 메모리입니다.

MRAM에 관해서 쉽게 설명해드리자면 그림으로 설명해드리겠습니다.

그림으로 표현해보자면 이렇습니다.

휘발성 메모리는 구조 자체가 단순하기 때문에

속도가 빠른게 아주 큰 장점이지만 전력공급이

따로 필요하다는 단점이 있어 저장매체로는

사용하기 어렵죠. 비휘발성 메모리 경우에는 

전력공급이 없어도 정보를 지속적으로

저장하기 때문에 저장매체로는 활용이 가능하지만

구조가 굉장히 복잡하여 속도가 휘발성 메모리보다

훨씬 느리다라는 것이 단점입니다. 하지만 MRAM 경우에는

휘발성 메모리보다 구조도 단순하며 전력공급도 필요없기 때문에

저장매체 및 DRAM 역할도 가능하여 양산만 된다면 정말 여러가지로

다양하게 쓰일 수 있는 반도체 부품입니다. 게다가 시장에 나와있는

휘발성,비휘발성 메모리보다 전력도 훨씬 적게 들어 

차세대 메모리로 각광을 받고 있죠.

MRAM에 관한 내용을 대충 보았으니 이제

STT-MRAM에 대해서 설명드리자면

STT-MRAM은 간략하게 설명드리자면 2세대 MRAM이라고

보시면 되며 CPU에 탑재되어있는 캐시메모리 속도를 가진 비휘발성 메모리라고 

보시면 되겠습니다. MRAM 자체가 위에서는 구조자체적으로는

단순하다고는 했지만 공정 자체가 굉장히 까다로워 몇년전까지만 해도

50nm,40nm까지 개발이 되었다가 올해들어서 삼성전자와 IBM 2개의 회사가

손을 잡아 11nm까지 축소시키는데 성공했다고 합니다.

STT-RAM의 정식 명칭은 " Spin-Transfer Torque Random-Access Memory "

직역하자면 " 스핀 전달 토크 랜덤 액세스 메모리 " 로 스핀 주입 기술인 자기저항으로

이동하는 메모리입니다. 이 부분까지 세세하게 설명들어가면 너무 전문용어가 많아

패스하도록 하겠습니다. STT-MRAM은 위에서 간단하게 말씀드렸듯이

캐시메모리 속도를 가진 SSD 및 하드디스크 처럼 저장이 가능한 메모리라고

보시면 되겠습니다.

STT-MRAM이 양산되기 시작하고 상용화가 된다면

우리가 알고있는 SSD와는 전혀 다른 저장매체가 나올 수도 있습니다.

DRAM보다 10배 빠르며 비휘발성 메모리이니 SSD같은

저장스토리지도 만드는게 가능하며 지금 일반 사용자들이 사용하고 있는

SSD 중 NVMe SSD보다 훨씬 더 빠른 신개념 SSD가 나올 수 있죠.

그리고 그 SSD로만 이용해서 DRAM 같이 사용해 RAM이 없는

데스크톱이 나올 수도 있습니다. 게다가 STT-MRAM은 구조도 단순하고

단가마저 싸고 이론상으로는 2nm까지 줄일 수 있으며 수명도 반영구적으로

사용할 수 있다고 합니다. 물론 이번해 안에 양산화가 되어 상용화가 될려면

시간이 많이 걸리겠지만 그래도 2019년 3분기 후로는 이 RAM을 사용한 일반사용자

제품들이 나오지 않을까 싶으며 특히 DDR4 다음인 DDR5가 STT-MRAM을 사용한

첫번째 제품이 되지 않을까 예상이 되기도 합니다.

만약 STT-MRAM이 조금이라도 빨리 나온다면

가장 큰 타격을 받는 것은 중국일 수밖에 없습니다.

중국은 우리나라 DRAM과 3D 낸드플래시 시장을 잡을려고

국가에서도 지원을 엄청나게 해주고 있습니다만 현재 MRAM 단가가

DRAM 단가보다 훨씬 싸서 중국이 DRAM 및 3D 낸드 

SSD를 제작한다고 하여도 가격 및 성능에서도 밀릴 수 밖에 없죠.

물론 STT-MRAM이 빨리 개발되었을 때 경우이지만 이 MRAM이

삼성전자와 협력한 IBM 이 2개사가 유일하게 독보적으로 양산작업까지

완료직전이기 때문에 중국 반도체 사업에 가장 큰 위협이 될 수 밖에 없습니다.

빨리 나와서 치킨게임자체가 성립이 안될 정도로 짓밣아 주었으면 좋겠네요.

오늘은 여기까지 저의 주관적인 의견과 지금까지 나온 STT-MRAM에 관한

소식을 모아서 정리해드렸는데요. 이 STT-MRAM이 언제 양산될지는

아직도 정확하게 알려진바가 없어 점차 소식이 계속 나오게되면

차차 알려드리도록 하겠습니다. 다음 IT 소식으로는 인텔에서

추가로 발견된 스펙터에 관해서 소개해드리도록 하겠으며

여기서 이만 인사드리도록 하겠습니다.

1.이 글이 도움이 됐다면 저의 블로그를  공감버튼을 한번만 눌러주세요! 2.댓글과 공감버튼을 주시는 것  자체가 저에게는 정말 큰힘이 됩니다. 3.새글을 받은 편지함으로 받아보고 싶으시면  빠박IT 페이스북 페이지를 팔라워 또는 좋아요를 눌러주세요! 4. 컴퓨터를 구입하시거나 문의하고 싶으시면 밑에 페이스북 페이지 에서 메세지를 남겨주시거나 아니면 카카오톡 아이디로 "  007overmen " 을 검색하셔서 문의를 해주시면 되겠습니다! (페이스북 페이지 바로가기)